Migration induced material transport in Cu-Sn IMC and SnAgCu microbumps
- verfasst von
- L. Meinshausen, K. Weide-Zaage, H. Frémont
- Abstract
Microbumps consisting of intermetallic compounds like Cu6Sn 5 or Cu3Sn have a longer lifetime during electromigration tests than SnAgCu microbumps. To explain the difference in behavior of Cu-Sn IMCs and SnAgCu during stress test the migration induced mass flux was calculated for Cu3Sn and Cu6Sn5. The results were compared to the mass flux in SnAgCu 305. Furthermore average effective charge values for Cu3Sn and Cu6Sn5 were approximated by comparing the separated movement of Cu and Sn with three different models for an averaged mass flux in the IMCs.
- Organisationseinheit(en)
-
Laboratorium f. Informationstechnologie
- Externe Organisation(en)
-
Universite de Bordeaux
- Typ
- Artikel
- Journal
- Microelectronics reliability
- Band
- 51
- Seiten
- 1860-1864
- Anzahl der Seiten
- 5
- ISSN
- 0026-2714
- Publikationsdatum
- 09.2011
- Publikationsstatus
- Veröffentlicht
- Peer-reviewed
- Ja
- ASJC Scopus Sachgebiete
- Elektronische, optische und magnetische Materialien, Atom- und Molekularphysik sowie Optik, Sicherheit, Risiko, Zuverlässigkeit und Qualität, Physik der kondensierten Materie, Oberflächen, Beschichtungen und Folien, Elektrotechnik und Elektronik
- Elektronische Version(en)
-
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2011.06.032 (Zugang:
Unbekannt)
