Dort hatte er die Möglichkeit in der renommierten „Power IC Lab“-Forschungsgruppe von Prof. Ke-Horng Chen im Bereich monolithisch integrierter Gallium-Nitrid (GaN) Schaltungen zu arbeiten und einen eigenen experimentellen Mikrochip zu entwerfen.
Auf dem Gebiet der GaN-ICs hat das Fachgebiet von Prof. Wicht am IMS in den letzten Jahren viele wegweisende Forschungsergebnisse erzielt. Aktuell ermöglichen GaN-Technologien hocheffiziente Leistungsschalter, die bereits weitreichende kommerzielle Anwendung gefunden haben. Tim beschäftigte sich mit neuen und innovativen Konzepten für integrierte analoge GaN Schaltungen. Diese sollen es ermöglichen, einen Spannungswandler mit Leistungshalbleiter, Mess- und Regelungsschaltungen auf einem einzigen GaN-IC integrieren zu können. Die Zusammenarbeit vor Ort diente als Grundlage für zukünftige gemeinsame Projekte und Veröffentlichungen.
